IGBT模块(绝缘栅双极晶体管) 绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
1.特点:
● 低电感高可靠封装
● 高绝缘耐压
● 干法焊接工艺
● 防内凹的结构
2.典型应用领域
直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
3.主要额定值及特性参数
A、模块的额定值及特性参数
型号
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VCES
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IC
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Tc
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IFRM 10MS
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I2T
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VCE sat
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VGE(th)
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RthJC
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RthJk
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外形结构代号
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V
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A
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℃
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A
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A2S
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V
|
V
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kW
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kW
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W34G
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MGC60
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1000
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60
|
75
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440
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968
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1.8/2
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5.5
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0.4
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0.05
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